質(zhì)優(yōu)原裝現(xiàn)貨DMN3018SSD-13集成電路IC
發(fā)布時(shí)間：2017/12/29
制造商
Diodes Incorporated
制造商零件編號
DMN3018SSD-13
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 21 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.7A 1.5W Surface Mount 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 6.7A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 13.2nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 697pF @ 15V
功率 - 最大值 1.5W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
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