質(zhì)優(yōu)原裝現(xiàn)貨FDN338P集成電路IC
發(fā)布時間：2017/12/28
制造商
ON Semiconductor
制造商零件編號
FDN338P
描述 MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 451pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 115 毫歐 @ 1.6A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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