質(zhì)優(yōu)原裝現(xiàn)貨FQD3P50TM集成電路IC
發(fā)布時間：2017/12/28
制造商
ON Semiconductor
制造商零件編號
FQD3P50TM
描述 MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 19 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 500V 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.9 歐姆 @ 1.05A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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