原裝現(xiàn)貨庫存IRF530NPBF集成電路IC
發(fā)布時間：2017/12/27
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IRF530NPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 通孔 N 溝道 100V 17A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 17A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 70W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 9A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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