AT25128AN-10SI-2.7 ATMEL集成電路（IC）
發(fā)布時(shí)間：2017/11/10
Digi-Key 零件編號(hào) AT25128AN-10SI2.7-ND
制造商
Microchip Technology
制造商零件編號(hào)
AT25128AN-10SI-2.7
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 過(guò)期
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 EEPROM
技術(shù) EEPROM
存儲(chǔ)容量 128Kb （16K x 8）
時(shí)鐘頻率 20MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 5ms
存儲(chǔ)器接口 SPI
電壓 - 電源 2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
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這種缺陷有效的增加了磷酸鐵鋰納米棒的表面活躍區(qū)域，讓正極和電解液之間的鋰離子傳播更加高效。Tang聲稱：“大多數(shù)電池正極都被打造成薄盤的形狀來(lái)增加鋰離子的單向運(yùn)動(dòng)。我們的發(fā)現(xiàn)改變了我們對(duì)磷酸鐵鋰最優(yōu)化形狀設(shè)計(jì)的看法。這種缺陷的存在讓鋰離子能夠多方向運(yùn)動(dòng)，這意味著我們讓性能最大化的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)是完全不準(zhǔn)確的?！?/span>?
制造商
Microchip Technology
制造商零件編號(hào)
AT25128AN-10SI-2.7
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 過(guò)期
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 EEPROM
技術(shù) EEPROM
存儲(chǔ)容量 128Kb （16K x 8）
時(shí)鐘頻率 20MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 5ms
存儲(chǔ)器接口 SPI
電壓 - 電源 2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
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封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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這種缺陷有效的增加了磷酸鐵鋰納米棒的表面活躍區(qū)域，讓正極和電解液之間的鋰離子傳播更加高效。Tang聲稱：“大多數(shù)電池正極都被打造成薄盤的形狀來(lái)增加鋰離子的單向運(yùn)動(dòng)。我們的發(fā)現(xiàn)改變了我們對(duì)磷酸鐵鋰最優(yōu)化形狀設(shè)計(jì)的看法。這種缺陷的存在讓鋰離子能夠多方向運(yùn)動(dòng)，這意味著我們讓性能最大化的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)是完全不準(zhǔn)確的?！?/span>?