SI4490DY-T VISHAY分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2017/10/19
Digi-Key 零件編號(hào) SI4490DY-T1-GE3TR-ND
檢查提前期
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號(hào)
SI4490DY-T1-GE3
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2.85A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA（最?。?span id="ttnnh9r" class="Apple-tab-span" style="white-space: pre;">
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 42nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.56W（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 80 毫歐 @ 4A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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