PHN210 NXP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2017/10/18
Digi-Key 零件編號 PHN210,118-ND
制造商
NXP USA Inc.
制造商零件編號
PHN210,118
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 NXP USA Inc.
系列 TrenchMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） -
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 2.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 250pF @ 20V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
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