SI7860DP-T1 VISHAY分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2017/9/20
Digi-Key 零件編號 SI7860DP-T1-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI7860DP-T1-GE3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 11A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 18A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
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