IRFR220NPBF IR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2017/9/1
Digi-Key 零件編號(hào) IRFR220NPBF-ND
現(xiàn)有數(shù)量 1,003
可立即發(fā)貨
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號(hào)
IRFR220NPBF
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 不可用于新設(shè)計(jì)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 43W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 600 毫歐 @ 2.9A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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