IRF630N 配單專家，F(xiàn)AE技術(shù)支持
發(fā)布時(shí)間：2019/4/28
IRF630N介紹：
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 23.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4.9 S
下降時(shí)間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.9 ns
零件號(hào)別名: SP001564792
單位重量: 6 g
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